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产品介绍

经纬水平电镀设备是先进封装、功率器件、化合物半导体制造的核心装备,覆盖 TSV、Pillar、Bump、RDL 等关键工艺,助力芯片实现微型化、高性能化升级。

核心配置

  • 兼容 8-12 寸晶圆
  • 支持 Cu/Ni/Au/SnAg/NiFe 等多金属电镀工艺
  • 最大搭载 3 个 Load Port
  • 最高可配置 4 个清洗干燥腔室、4 个预处理腔室
  • 电镀腔室最大支持 16 个

工艺性能

片内均匀性
0 %
片间均匀性
0 %
工艺重复性
0 %
核心优势
  • 实现高均匀性电场流场分布,优化晶圆边缘局部镀层厚度
  • 高深宽比 TSV/TGV 填充无空洞,保障镀层质量
  • 多腔体并行 + 连续传送设计,大幅提升批量生产效率
  • 模块化结构搭配密闭工艺腔,减少交叉污染,显著提高设备稼动率
工艺性能
  • 片内均匀性:<5%
  • 片间均匀性:<3%
  • 工艺重复性:<3%

核心优势

  • 实现高均匀性电场流场分布,优化晶圆边缘局部镀层厚度
  • 高深宽比 TSV/TGV 填充无空洞,保障镀层质量
  • 多腔体并行 + 连续传送设计,大幅提升批量生产效率
  • 模块化结构搭配密闭工艺腔,减少交叉污染,显著提高设备稼动率
电镀的基本原理

工艺原理

通过直流电把金属阳离子转化为金属单质沉积到导电衬底上,具有极高的沉积速率,优越的填充能力,非真空非高温的成本优势。

关键零部件

晶圆密封垫
  • 应用场景: 半导体 Wafer 电镀制程密封
  • 核心材质: 全氟高分子材料,强耐酸碱、耐高温
  • 表面工艺: 专用防粘高分子涂层,杜绝黏片
  • 使用寿命: 单垫片适配晶圆数量≥10000PCS
  • 核心优势: 化学稳定性强、密封持久、良率保障
弹性导电环
  • 应用场景: 半导体 Wafer 电镀制程导电
  • 核心材质: 贵金属基材,导电性能优异
  • 结构特性: 高弹性设计,适配电镀作业
  • 使用寿命: 单环适配晶圆数量≥10000PCS
  • 核心优势: 纯国产自主研发制造,长寿命、高稳定
晶圆支撑环
  • 应用场景: 半导体 Wafer 电镀制程支撑定位
  • 核心材质: 高刚性高分子材料,耐酸碱腐蚀、支撑稳固
  • 工艺特性: 高精度精密加工,尺寸精度优异
  • 核心优势: 纯国产自主研发制造,适配电镀严苛工况
电镀匀流板
  • 应用场景: 半导体 Wafer 电镀电匀流
  • 核心材质: 耐酸碱高分子材料,化学稳定性优异
  • 工艺性能: 高精度加工,高均匀导流
  • 核心优势: 纯国产自主研发制造,适配高端电镀设备

关键零部件

晶圆密封垫
  • 应用场景: 半导体 Wafer 电镀制程密封
  • 核心材质: 全氟高分子材料,强耐酸碱、耐高温
  • 表面工艺: 专用防粘高分子涂层,杜绝黏片
  • 使用寿命: 单垫片适配晶圆数量≥10000PCS
  • 核心优势: 化学稳定性强、密封持久、良率保障
弹性导电环
  • 应用场景: 半导体 Wafer 电镀制程导电
  • 核心材质: 贵金属基材,导电性能优异
  • 结构特性: 高弹性设计,适配电镀作业
  • 使用寿命: 单环适配晶圆数量≥10000PCS
  • 核心优势: 纯国产自主研发制造,长寿命、高稳定
晶圆支撑环
  • 应用场景: 半导体 Wafer 电镀制程支撑定位
  • 核心材质: 高刚性高分子材料,耐酸碱腐蚀、支撑稳固
  • 工艺特性: 高精度精密加工,尺寸精度优异
  • 核心优势: 纯国产自主研发制造,适配电镀严苛工况
电镀匀流板
  • 应用场景: 半导体 Wafer 电镀电匀流
  • 核心材质: 耐酸碱高分子材料,化学稳定性优异
  • 工艺性能: 高精度加工,高均匀导流
  • 核心优势: 纯国产自主研发制造,适配高端电镀设备